電阻爐 SRCG8-M07
電阻熱場平臺是目前先進的PVT晶體生長平臺。感應加熱由于電磁感應作用，軸向溫度和徑向溫度存在耦合現象，無法兼顧長晶速度和長晶質量。電阻熱場生長平臺，可對軸向溫度和徑向溫度分別進行精確控制，有利于實現大尺寸晶體生長，并提高晶體生長速度，是未來高品質8英寸碳化硅晶體生長的解決方案之一。
產品優勢
內外分離測溫組件
- 整個晶體生長周期全程采用溫度閉環控制
- 內外分離，大幅度提高了溫度測量的抗干擾性
多區控溫設計
- 減少熱應力產生的缺陷
- 實現更靈活的溫度梯度調整
- 對源料溫度區域與籽晶溫度區域單獨控制
先進技術
軸徑分離技術
注：單一爐型不一定涉及全部技術，僅供參考，詳情歡迎致電恒普
【軸徑分離】技術應用于電阻式長晶爐徹底解決軸徑方向上的溫度耦合現象。調整軸向溫度梯度，提升晶體生長速度，徑向溫度梯度也隨之發生改變，從而導致晶體生長界面的凹凸變化、應力增加，使得晶體缺陷增加。電阻式長晶爐通過不同區域的電阻發熱，達到籽晶區域和源料區域的溫度分別控制，達到軸向溫度梯度與徑向溫度梯度分離，從而穩定晶體生長面型的同時能夠大幅度提高晶體生長速度。
工具包
先進材料
恒普為客戶提供長晶材料的一站式解決方案
碳化鉭涂層
碳化硅涂層
多孔石墨
保溫氈等工具
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電阻熱場平臺是目前先進的PVT晶體生長平臺。感應加熱由于電磁感應作用，軸向溫度和徑向溫度存在耦合現象，無法兼顧長晶速度和長晶質量。電阻熱場生長平臺，可對軸向溫度和徑向溫度分別進行精確控制，有利于實現大尺寸晶體生長，并提高晶體生長速度，是未來高品質8英寸碳化硅晶體生長的解決方案之一。
- 長晶方式PVT
- 加熱平臺電阻加熱
- 長晶速度0.2-0.3mm/h
- 長晶尺寸6 inch/8 inch
- 長晶高度30-40mm
- 線圈類型N/A